更新时间:2024-05-10
我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。
品牌 | 飞诺飞 | 产地类别 | 国产 |
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应用领域 | 环保,化工,能源 |
我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。
型号 | 工作电压 | 对比翱搁罢贰颁 U-016-300-100 型 探测器 (Am-241 面源) 真空下测量能量分 辩率1.2% | 对比翱搁罢贰颁 U-016-300-100 型 探测器 (Am-241 面源) 真空下测量峰道址 202 |
A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |